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IXFN39N90

IXFN39N90
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Número de pieza IXFN39N90
Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 2016 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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$17.927

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Número de pieza IXFN39N90 Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 2016 pcs Ficha de datos IXFN39N90
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-227B Serie HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 220 mOhm @ 500mA, 10V La disipación de energía (máximo) 694W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 390nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900V Descripción detallada N-Channel 900V 39A (Tc) 694W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc)

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