FDP8870
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| Número de pieza | FDP8870 |
|---|---|
| Fabricante | Fairchild/ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.606 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDP8870 | Fabricante | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 51347 pcs | Ficha de datos | FDP8870TO220B03 Pkg Drawing |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Voltaje - Prueba | 5200pF @ 15V |
| Tensión - Desglose | TO-220AB | VGS (th) (Max) @Id | 4.1 mOhm @ 35A, 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | PowerTrench® |
| Estado RoHS | Tube | RDS (Max) @Id, Vgs | 19A (Ta), 156A (Tc) |
| Polarización | TO-220-3 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks | Número de pieza del fabricante | FDP8870 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 132nC @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| Característica de FET | N-Channel | Descripción ampliada | N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | Descripción | MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30V | relación de capacidades | 160W (Tc) |
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