FDP8880
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| Número de pieza | FDP8880 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 800 pcs | 1600 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.413 | $0.365 | $0.289 | $0.196 | $0.177 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDP8880 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 114792 pcs | Ficha de datos | TO220B03 Pkg DrawingFDB8880, FDP8880 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 40A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 55W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | FDP8880-ND FDP8880FS |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220AB | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 54A (Tc) |
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