EPC8010
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| Número de pieza | EPC8010 |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.819 | $0.741 | $0.661 | $0.595 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.529 | $0.463 | $0.384 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC8010 | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 83160 pcs | Ficha de datos | eGaN® FET BriefEPC8010 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Paquete del dispositivo | Die | Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 160 mOhm @ 500mA, 5V | La disipación de energía (máximo) | - |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | 917-1086-1 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 55pF @ 50V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.48nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
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