EPC8002ENGR
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| Número de pieza | EPC8002ENGR |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.642 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC8002ENGR | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5845 pcs | Ficha de datos | eGaN® FET BriefEPC8002 Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Voltaje - Prueba | 21pF @ 32.5V |
| Tensión - Desglose | Die | VGS (th) (Max) @Id | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | Serie | eGaN® |
| Estado RoHS | Tray | RDS (Max) @Id, Vgs | 2A (Ta) |
| Polarización | Die | Otros nombres | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | EPC8002ENGR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 0.14nC @ 5V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| Característica de FET | N-Channel | Descripción ampliada | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | Descripción | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 65V | relación de capacidades | - |
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