EPC2110
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| Número de pieza | EPC2110 |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.973 | $0.879 | $0.784 | $0.706 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.628 | $0.549 | $0.455 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2110 | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 79887 pcs | Ficha de datos | EPC2110 Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 700µA |
| Paquete del dispositivo | Die | Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 5V | Potencia - Max | - |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | 917-1152-1 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.8nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 120V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
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