EPC2108
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| Número de pieza | EPC2108 |
|---|---|
| Fabricante | EPC |
| Descripción | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.333 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EPC2108 | Fabricante | EPC |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 57624 pcs | Ficha de datos | EPC2108 Datasheet |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Paquete del dispositivo | 9-BGA (1.35x1.35) | Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V | Potencia - Max | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 9-VFBGA |
| Otros nombres | 917-1169-2 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Tipo FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V, 100V | Descripción detallada | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
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