SF10DG-A
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| Número de pieza | SF10DG-A |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SF10DG-A | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4058 pcs | Ficha de datos | SF10AG - SF10JG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 950mV @ 1A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 200V | Paquete del dispositivo | DO-41 |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 35ns | embalaje | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta | DO-204AL, DO-41, Axial | Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41 | Corriente - Fuga inversa a Vr | 10µA @ 200V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 1A | Capacitancia Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz |
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