SF10BG-B
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| Número de pieza | SF10BG-B |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SF10BG-B | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4777 pcs | Ficha de datos | SF10AG - SF10JG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1A | Tensión - Desglose | DO-41 |
| Serie | - | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | 75pF @ 4V, 1MHz |
| Polarización | DO-204AL, DO-41, Axial | Temperatura de funcionamiento - Junction | 35ns |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | SF10BG-B | Descripción ampliada | Diode Standard 100V 1A Through Hole DO-41 |
| configuración de diodo | 10µA @ 100V | Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 950mV @ 1A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 100V |
| Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 150°C |
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