DMT10H015LSS-13
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| Número de pieza | DMT10H015LSS-13 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 8.3A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.461 | $0.407 | $0.322 | $0.25 | $0.197 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMT10H015LSS-13 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 8.3A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 118250 pcs | Ficha de datos | DMT10H015LSS |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 16 mOhm @ 20A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 1.2W (Ta) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | DMT10H015LSS-13DICT | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 8.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8.3A (Ta) |
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