DMT10H015LFG-7
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| Número de pieza | DMT10H015LFG-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 10A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.174 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMT10H015LFG-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 10A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 119173 pcs | Ficha de datos | DMT10H015LFG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PowerDI3333-8 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 20A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2W (Ta), 35W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN |
| Otros nombres | DMT10H015LFG-7DITR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 42A (Tc) |
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