DMN63D8LDWQ-7
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| Número de pieza | DMN63D8LDWQ-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.026 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN63D8LDWQ-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 947107 pcs | Ficha de datos | DMN63D8LDWQ |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | SOT-363 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 250mA, 10V | Potencia - Max | 300mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | DMN63D8LDWQ-7DITR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.87nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 220mA |
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