DMN63D8L-13
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| Número de pieza | DMN63D8L-13 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 10000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.013 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN63D8L-13 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1814879 pcs | Ficha de datos | DMN63D8L |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-23-3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 250mA, 10V | La disipación de energía (máximo) | 350mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres | DMN63D8L-13DI | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 23.2pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 350mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
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