DMN60H080DS-7
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| Número de pieza | DMN60H080DS-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.037 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN60H080DS-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 579275 pcs | Ficha de datos | DMN60H080DS |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-23-3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 100 Ohm @ 60mA, 10V | La disipación de energía (máximo) | 1.1W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres | DMN60H080DS-7-ND DMN60H080DS-7DITR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.7nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80mA (Ta) |
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