DMN6070SSD-13
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| Número de pieza | DMN6070SSD-13 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.076 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN6070SSD-13 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 251159 pcs | Ficha de datos | DMN6070SSD |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 80 mOhm @ 12A, 10V | Potencia - Max | 1.2W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | DMN6070SSD-13DITR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 588pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.3A 1.2W Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A |
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