DMN2005LP4K-7
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| Número de pieza | DMN2005LP4K-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.223 | $0.157 | $0.103 | $0.061 | $0.047 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN2005LP4K-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 451045 pcs | Ficha de datos | DMN2005LP4K |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 900mV @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | X2-DFN1006-3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V | La disipación de energía (máximo) | 400mW (Ta) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 3-XFDFN |
| Otros nombres | DMN2005LP4KDICT | Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 41pF @ 3V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
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