DMN10H170SFG-7
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| Número de pieza | DMN10H170SFG-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.077 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN10H170SFG-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 285455 pcs | Ficha de datos | DMN10H170SFG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PowerDI3333-8 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 122 mOhm @ 3.3A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 940mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 870.7pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14.9nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | N-Channel 100V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) |
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