FDFS6N303
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| Número de pieza | FDFS6N303 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDFS6N303 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4424 pcs | Ficha de datos | FDFS6N303 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 35 mOhm @ 6A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 900mW (Ta) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | FDFS6N303_NLCT FDFS6N303_NLCT-ND FDFS6N303CT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
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