FDFMA2P857
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| Número de pieza | FDFMA2P857 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDFMA2P857 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5063 pcs | Ficha de datos | FDFMA2P857 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-MicroFET (2x2) | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 1.4W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 6-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres | FDFMA2P857TR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
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