TPD3215M
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| Número de pieza | TPD3215M |
|---|---|
| Fabricante | Transphorm |
| Descripción | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $75.479 | $71.836 | $69.233 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TPD3215M | Fabricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descripción | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 432 pcs | Ficha de datos | TPD3215M |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | - |
| Paquete del dispositivo | Module | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V | Potencia - Max | 470W |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | Module |
| Otros nombres | TPH3215M TPH3215M-ND |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 28nC @ 8V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
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