TP65H035WS
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| Número de pieza | TP65H035WS |
|---|---|
| Fabricante | Transphorm |
| Descripción | 650 V 46.5 CASCODE GAN FET |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 270 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $8.862 | $8.056 | $7.451 | $6.847 | $6.243 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TP65H035WS | Fabricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descripción | 650 V 46.5 CASCODE GAN FET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5014 pcs | Ficha de datos | TP65H035WS |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4.8V @ 700µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Paquete del dispositivo | TO-247-3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 41 mOhm @ 30A, 8V | La disipación de energía (máximo) | 156W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 15 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 36nC @ 8V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 8V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción detallada | N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 46.5A (Tc) |
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