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UG06DHA1G

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Número de pieza UG06DHA1G
Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 513203 pcs
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Número de pieza UG06DHA1G Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 513203 pcs Ficha de datos UG06A - UG06D
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 950mV @ 600mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 200V Paquete del dispositivo TS-1
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr) 15ns embalaje Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta T-18, Axial Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 12 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Standard Descripción detallada Diode Standard 200V 600mA Through Hole TS-1
Corriente - Fuga inversa a Vr 5µA @ 200V Corriente - rectificada media (Io) 600mA
Capacitancia Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz

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