TSM6N50CP ROG
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| Número de pieza | TSM6N50CP ROG |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TSM6N50CP ROG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5813 pcs | Ficha de datos | TSM6N50 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-252, (D-Pak) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 90W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | TSM6N50CP ROGCT TSM6N50CP ROGCT-ND TSM6N50CPROGCT |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 25nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V | Descripción detallada | N-Channel 500V 5.6A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta) |
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