TSM650P02CX RFG
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| Número de pieza | TSM650P02CX RFG |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.041 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TSM650P02CX RFG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 467911 pcs | Ficha de datos | TSM650P02CX |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 800mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-23 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 65 mOhm @ 3A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 1.56W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres | TSM650P02CX RFGTR TSM650P02CX RFGTR-ND TSM650P02CXRFGTR |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 40 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | P-Channel 20V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
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