TSM4NB65CP ROG
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| Número de pieza | TSM4NB65CP ROG |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.12 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TSM4NB65CP ROG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 187666 pcs | Ficha de datos | TSM4NB65 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-252, (D-Pak) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.37 Ohm @ 2A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 70W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | TSM4NB65CP ROGTR TSM4NB65CP ROGTR-ND TSM4NB65CPROGTR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 549pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 13.46nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 4A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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