TSM35N10CP ROG
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| Número de pieza | TSM35N10CP ROG |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.393 | $0.349 | $0.276 | $0.214 | $0.169 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TSM35N10CP ROG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 135883 pcs | Ficha de datos | TSM35N10 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-252, (D-Pak) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 37 mOhm @ 10A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 83.3W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | TSM35N10CP ROGCT TSM35N10CP ROGCT-ND TSM35N10CPROGCT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 30 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1598pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 32A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
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