TSM220NB06LCR RLG
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| Número de pieza | TSM220NB06LCR RLG |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.111 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | TSM220NB06LCR RLG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| cantidad disponible | 207300 pcs | Ficha de datos | TSM220NB06LCR |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-PDFN (5x6) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 22 mOhm @ 8A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 3.1W (Ta), 68W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerLDFN |
| Otros nombres | TSM220NB06LCRRLGTR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1314pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 23nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta), 35A (Tc) |
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