S4M V6G
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| Número de pieza | S4M V6G |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 4A DO214AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.039 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | S4M V6G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 4A DO214AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 554330 pcs | Ficha de datos | S4A - S4M |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Paquete del dispositivo | DO-214AB (SMC) |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 1.5µs | Paquete / Cubierta | DO-214AB, SMC |
| Otros nombres | S4M V6G-ND S4MV6G |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 4A Surface Mount DO-214AB (SMC) |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 100µA @ 1000V | Corriente - rectificada media (Io) | 4A |
| Capacitancia Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
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