S3JB R5G
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| Número de pieza | S3JB R5G |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 850 pcs | 1700 pcs | 2550 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.045 | $0.041 | $0.036 | |||
| 5950 pcs | 21250 pcs | 42500 pcs | |||
| $0.034 | $0.031 | $0.029 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | S3JB R5G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 787679 pcs | Ficha de datos | S3AB - S3MB |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.15V @ 3A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 600V | Paquete del dispositivo | DO-214AA (SMB) |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 1.5µs | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | DO-214AA, SMB | Otros nombres | S3JB R5GTR S3JB R5GTR-ND S3JBR5GTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) | Corriente - Fuga inversa a Vr | 10µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 3A | Capacitancia Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
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