S1MLHR3G
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| Número de pieza | S1MLHR3G |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 10800 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.018 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | S1MLHR3G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1337991 pcs | Ficha de datos | S1AL - S1ML |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.1V @ 1A |
| Paquete del dispositivo | Sub SMA | Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 1.8µs |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | DO-219AB |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 21 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 1A Surface Mount Sub SMA | Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 1000V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 1A | Capacitancia Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
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