RS3M V6G
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| Número de pieza | RS3M V6G |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 3A DO214AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.04 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RS3M V6G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 3A DO214AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 470326 pcs | Ficha de datos | RS3A - RS3M |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Paquete del dispositivo | DO-214AB (SMC) |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 500ns | Paquete / Cubierta | DO-214AB, SMC |
| Otros nombres | RS3M V6G-ND RS3MV6G |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 10µA @ 1000V | Corriente - rectificada media (Io) | 3A |
| Capacitancia Vr, F | - |
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