RS1DLHM2G
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| Número de pieza | RS1DLHM2G |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 22500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.017 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RS1DLHM2G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1271991 pcs | Ficha de datos | RS1AL - RS1ML |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.3V @ 800mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 200V | Paquete del dispositivo | Sub SMA |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 150ns | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | DO-219AB | Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 21 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 200V | Corriente - rectificada media (Io) | 800mA |
| Capacitancia Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
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