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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > HS3J V6G

HS3J V6G

HS3J V6G
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Número de pieza HS3J V6G
Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 530058 pcs
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Número de pieza HS3J V6G Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 530058 pcs Ficha de datos HS3A - HS3M
Categoría Productos semiconductores discretos Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V
Paquete del dispositivo DO-214AB (SMC) Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie - Tiempo de recuperación inversa (trr) 75ns
Paquete / Cubierta DO-214AB, SMC Otros nombres HS3J V6G-ND
HS3JV6G
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) 3A Capacitancia Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz

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