HS1KL R3G
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| Número de pieza | HS1KL R3G |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1800 pcs | 3600 pcs | 5400 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.034 | $0.03 | $0.027 | |||
| 12600 pcs | 45000 pcs | 90000 pcs | |||
| $0.024 | $0.022 | $0.02 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | HS1KL R3G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1194791 pcs | Ficha de datos | HS1AL - HS1ML |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7V @ 1A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 800V | Paquete del dispositivo | Sub SMA |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | DO-219AB | Otros nombres | HS1KL R3GTR HS1KL R3GTR-ND HS1KLR3GTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 21 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 800V 1A Surface Mount Sub SMA | Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 800V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 1A | Capacitancia Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
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