HS1J R3G
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| Número de pieza | HS1J R3G |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1800 pcs | 3600 pcs | 5400 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.033 | $0.029 | $0.026 | |||
| 12600 pcs | 45000 pcs | 90000 pcs | |||
| $0.023 | $0.022 | $0.019 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | HS1J R3G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1190480 pcs | Ficha de datos | HS1A - HS1M |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7V @ 1A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 600V | Paquete del dispositivo | DO-214AC (SMA) |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | DO-214AC, SMA | Otros nombres | HS1J R3GTR HS1J R3GTR-ND HS1JR3GTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) | Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 1A | Capacitancia Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
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