ESH2BA M2G

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Número de pieza	ESH2BA M2G
Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS

~~In Stock~~ 558724 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	15000 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	$0.043

Parámetro del producto
Ficha de datos

Product parameter

Número de pieza	ESH2BA M2G	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	558724 pcs	Ficha de datos	ESH2BA - ESH2DA
Categoría	Productos semiconductores discretos	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	900mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	100V	Paquete del dispositivo	DO-214AC (SMA)
Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)	Serie	-
Tiempo de recuperación inversa (trr)	25ns	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	DO-214AC, SMA	Otros nombres	ESH2BA M2G-ND ESH2BAM2G
Temperatura de funcionamiento - Junction	-55°C ~ 175°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)	Corriente - Fuga inversa a Vr	1µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)	1A	Capacitancia Vr, F	25pF @ 4V, 1MHz

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