ES1DL M2G
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| Número de pieza | ES1DL M2G |
|---|---|
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 15000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.026 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | ES1DL M2G | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 950915 pcs | Ficha de datos | ES1AL - ES1JL |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 950mV @ 1A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 200V | Paquete del dispositivo | Sub SMA |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 35ns | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | DO-219AB | Otros nombres | ES1DL M2G-ND ES1DLM2G |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 21 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 200V 1A Surface Mount Sub SMA | Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 200V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 1A | Capacitancia Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
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