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ES1B M2G

ES1B M2G
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Número de pieza ES1B M2G
Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 1034321 pcs
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Número de pieza ES1B M2G Fabricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1034321 pcs Ficha de datos ES1A - ES1J
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 950mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 100V Paquete del dispositivo DO-214AC (SMA)
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 35ns embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta DO-214AC, SMA Otros nombres ES1B M2G-ND
ES1BM2G
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) Corriente - Fuga inversa a Vr 5µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io) 1A Capacitancia Vr, F 16pF @ 1V, 1MHz

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