S4KW12C-6P
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| Número de pieza | S4KW12C-6P |
|---|---|
| Fabricante | Semtech |
| Descripción | DIODE GEN PURP 12KV 12A MODULE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $652.919 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | S4KW12C-6P | Fabricante | Semtech |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 12KV 12A MODULE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 53 pcs | Ficha de datos | S4KWxC-xx |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 12V @ 12A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 12000V | Paquete del dispositivo | - |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 2µs | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Module | Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 12000V 12A Chassis Mount | Corriente - Fuga inversa a Vr | 4µA @ 12000V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 12A | Capacitancia Vr, F | - |
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