STWA50N65DM2AG
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| Número de pieza | STWA50N65DM2AG |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | POWER TRANSISTORS |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.922 | |||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | STWA50N65DM2AG | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | POWER TRANSISTORS | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| cantidad disponible | 19675 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247 | Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 87 mOhm @ 19A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 300W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V |
| Descripción detallada | N-Channel 650V 38A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
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