STW63N65DM2
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| Número de pieza | STW63N65DM2 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.924 | |||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | STW63N65DM2 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| cantidad disponible | 12824 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | - |
| Vgs (Max) | - | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247 | Serie | FDmesh™ II Plus |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | La disipación de energía (máximo) | - |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 | Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 145nC @ 100V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 65A |
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