STW24NM65N
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| Número de pieza | STW24NM65N |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 19A TO-247 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STW24NM65N | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 19A TO-247 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4296 pcs | Ficha de datos | STx24NM65N |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247-3 | Serie | MDmesh™ II |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 160W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Otros nombres | 497-7035-5 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 70nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
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