STU3N80K5
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| Número de pieza | STU3N80K5 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 75 pcs | 150 pcs | 525 pcs | 1050 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.674 | $0.544 | $0.489 | $0.381 | $0.315 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STU3N80K5 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 70600 pcs | Ficha de datos | STx3N80K5 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | 30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I-PAK | Serie | SuperMESH5™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 60W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres | 497-14223-5 STU3N80K5-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.5nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V | Descripción detallada | N-Channel 800V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
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