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STU27N3LH5

STU27N3LH5
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Número de pieza STU27N3LH5
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 156789 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza STU27N3LH5 Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET N-CH 30V 27A IPAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 156789 pcs Ficha de datos STx27N3LH5
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±22V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo I-PAK Serie STripFET™ V
RDS (Max) @Id, Vgs 20 mOhm @ 13.5A, 10V La disipación de energía (máximo) 30W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4.6nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada N-Channel 30V 27A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)

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