STU10N60M2
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| Número de pieza | STU10N60M2 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 75 pcs | 150 pcs | 525 pcs | 1050 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.703 | $0.563 | $0.493 | $0.382 | $0.302 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STU10N60M2 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V IPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 64217 pcs | Ficha de datos | STx10N60M2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | I-PAK | Serie | MDmesh™ II Plus |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 85W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres | 497-13977-5 STU10N60M2-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 13.5nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
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