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STTH1210G-TR

STTH1210G-TR
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Número de pieza STTH1210G-TR
Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 4992 pcs
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Número de pieza STTH1210G-TR Fabricante STMicroelectronics
Descripción DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4992 pcs Ficha de datos STTH1210
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - inversa de pico (máxima) Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 12A Tensión - Desglose D2PAK
Serie - Estado RoHS Tape & Reel (TR)
Tiempo de recuperación inversa (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Resistencia @ Si, F -
Polarización TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Otros nombres 497-6093-2
Temperatura de funcionamiento - Junction 90ns Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited) Número de pieza del fabricante STTH1210G-TR
Descripción ampliada Diode Standard 1000V (1kV) 12A Surface Mount D2PAK configuración de diodo 10µA @ 1000V
Descripción DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK Corriente - Fuga inversa a Vr 2V @ 12A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) 1000V (1kV) Capacitancia Vr, F 175°C (Max)

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