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STT3P2UH7

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Número de pieza STT3P2UH7
Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 4139 pcs
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Número de pieza STT3P2UH7 Fabricante STMicroelectronics
Descripción MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4139 pcs Ficha de datos STT3P2UH7
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-23-6 Serie STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V La disipación de energía (máximo) 1.6W (Tc)
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta SOT-23-6
Otros nombres 497-15156-1 Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V Tipo FET P-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V Descripción detallada P-Channel 20V 3A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)

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  • Parte#:STT0019
  • Fabricantes:Microsemi
  • Descripción:DIODE SILICON CTRL
  • En stock:5054
 Investigación

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