STS4DNFS30L
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| Número de pieza | STS4DNFS30L |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STS4DNFS30L | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5636 pcs | Ficha de datos | STS4DNFS30L |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | STripFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 55 mOhm @ 2A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | 497-3227-2 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 4A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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