STS10DN3LH5
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| Número de pieza | STS10DN3LH5 |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.56 | $0.496 | $0.392 | $0.304 | $0.24 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STS10DN3LH5 | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 92961 pcs | Ficha de datos | STS10DN3LH5 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | STripFET™ V |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 21 mOhm @ 5A, 10V | Potencia - Max | 2.5W |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | 497-10011-1 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.6nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A |
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