STR2P3LLH6

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Número de pieza	STR2P3LLH6
Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS

~~In Stock~~ 478238 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	3000 pcs
Precio de referencia (En dólares estadounidenses)	$0.045

Parámetro del producto
Ficha de datos

Product parameter

Número de pieza	STR2P3LLH6	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	478238 pcs	Ficha de datos	STR2P3LLH6
Categoría	Productos semiconductores discretos	VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V	Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	SOT-23	Serie	STripFET™ H6
RDS (Max) @Id, Vgs	56 mOhm @ 1A, 10V	La disipación de energía (máximo)	350mW (Tc)
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres	497-15520-2	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	38 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	639pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 2A (Ta) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

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